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硅和蓝宝石基底上的高T_c薄膜(英文)
贾米尔．温纳毕[1],艾斯法塔赫尔[2],哈希米R A[3]^1,2,3
1.[1]古拉姆-伊夏克-克汗工程科学与技术学院工程科学系，Topi-23460，N.W．F．P．，巴基斯坦;2.[2]卡拉奇大学物理系凝聚态材料实验室，卡拉奇，巴基斯坦;3.[3]吉纳女子大学，卡拉奇74600，巴基斯坦

摘要:

使用多层沉积和大块沉积两种技术,在硅和蓝宝石的单晶基底上沉积了Yba2XCu3O7高Tc薄膜.实验显示:在硅基底上得到了转变温度为80K的期待结果.

关键词: 高Tc薄膜 Yba2XCu3O7 单晶基底沉积技术

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Abstract:

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