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低温湿氮退火对SiO_2-Si界面的影响
王济身,许春芳,陈琳,范焕章
作者
单位
王济身,许春芳,陈琳,范焕章
摘要
:
用高频C—V和准静态C-V技术研究了低温湿氮退火对SiO_z—Si界面的影响。结果表明,铝淀积后并在铝腐蚀之前的460℃湿氮退火有效地减少了表面电荷和界面态密度。还比较了铝淀积前退火、铝腐蚀前退火和铝腐蚀后退火的效果,证明铝腐蚀前退火给出最小的表面电荷和界面态密度。对结果和退火机理进行了讨论。
关键词
:
无
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Abstract
:
Key words
:
