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国产MOS场效应晶体管阈值电压不稳定性的初步探讨
孙沩,陈心和
作者
单位
孙沩,陈心和
摘要
:
阐述了引起MOS场效应晶体管阈值电压不稳定性的几种主要因素,介绍国外对p沟MOS晶体管所做的加速试验的结果。对国产MOS晶体管的阈值电压进行了BT试验。同一类型的管子在不同应力下观察到类似的现象。作图表示阈值电压漂移的平均值随应力时间的变化,从而确定漂移机构。
关键词
:
无
DOI：
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:
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Abstract
:
Key words
:
