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硅和蓝宝石基底上的高T_c薄膜(英文)
贾米尔.温纳毕[1],艾斯法塔赫尔[2],哈希米R A[3]1,2,3
1.[1]古拉姆-伊夏克-克汗工程科学与技术学院工程科学系,Topi-23460,N.W.F.P.,巴基斯坦;2.[2]卡拉奇大学物理系凝聚态材料实验室,卡拉奇,巴基斯坦;3.[3]吉纳女子大学,卡拉奇74600,巴基斯坦
摘要:
使用多层沉积和大块沉积两种技术,在硅和蓝宝石的单晶基底上沉积了Yba2XCu3O7高Tc薄膜.实验显示:在硅基底上得到了转变温度为80K的期待结果.
关键词:  高Tc薄膜    Yba2XCu3O7    单晶基底    沉积技术
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